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S40G

产品描述Rectifiers 400V 40A Std. Recovery
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小599KB,共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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S40G概述

Rectifiers 400V 40A Std. Recovery

S40G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流595 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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S40B thru S40JR
Silicon Standard
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 100 V to 600 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-5 Package
V
RRM
= 100 V - 600 V
I
F
=40 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse voltage
g
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤ 140 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
S40B (R)
100
70
100
40
595
-55 to 150
-55 to 150
S40D (R)
200
140
200
40
595
-55 to 150
-55 to 150
S40G (R)
400
280
400
40
595
-55 to 150
-55 to 150
S40J (R)
600
420
600
40
595
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 40 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 100 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 100 V, T
j
= 190 °C
S40B (R)
1.1
10
15
1.25
S40D (R)
1.1
10
15
1.25
S40G (R)
1.1
10
15
1.25
S40J (R)
1.1
10
9
1.25
Unit
V
μA
mA
°C/W
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
R
thJC
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
1

S40G相似产品对比

S40G
描述 Rectifiers 400V 40A Std. Recovery
是否无铅 不含铅
厂商名称 GeneSiC
包装说明 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-203AB
JESD-30 代码 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 595 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 1
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 40 A
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 400 V
最大反向电流 10 µA
表面贴装 NO
端子形式 SOLDER LUG
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