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BUW48

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN High Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BUW48概述

Bipolar Transistors - BJT NPN High Power

BUW48规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-218
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
最大关闭时间(toff)1350 ns
最大开启时间(吨)1500 ns
VCEsat-Max1.4 V
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