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EMT1DXV6T5

产品描述Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual PNP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小48KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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EMT1DXV6T5概述

Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual PNP

EMT1DXV6T5规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSN
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-563-6
Transistor PolarityPNP
ConfigurationDual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max- 60 V
Collector- Base Voltage VCBO- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage- 0.5 V
Maximum DC Collector Current0.1 A
Gain Bandwidth Product fT140 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
高度
Height
0.55 mm
长度
Length
1.6 mm
系列
Packaging
Reel
宽度
Width
1.2 mm
Continuous Collector Current- 0.1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min120
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
357 mW
单位重量
Unit Weight
0.000106 oz

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描述 Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual PNP Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual PNP

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