SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TSOP1 |
包装说明 | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
最长访问时间 | 55 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 11.8 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1 |
封装等效代码 | TSSOP32,.56,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.25 mm |
最大待机电流 | 0.000015 A |
最小待机电流 | 1.2 V |
最大压摆率 | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 8 mm |
Base Number Matches | 1 |
IS62WV5128BLL-55HLI | IS62WV5128BLL-55BLI-TR | IS62WV5128BLL-55HLI-TR | IS62WV5128BLL-55BLI | IS62WV5128BLL-55TLI-TR | IS62WV5128BLL-55QLI | |
---|---|---|---|---|---|---|
描述 | SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM | SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM | SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM | SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM | SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM | SRAM 4M (512Kx8) 55ns Async SRAM |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | - | 符合 |
零件包装代码 | TSOP1 | - | TSOP1 | BGA | - | SOIC |
包装说明 | TSOP1, TSSOP32,.56,20 | - | TSOP1, | TFBGA, BGA36,6X8,30 | - | SOP, SOP32,.56 |
Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | compliant | - | compliant |
ECCN代码 | 3A991 | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | - | 3A991 |
Factory Lead Time | 8 weeks | - | 8 weeks | 8 weeks | - | 8 weeks |
最长访问时间 | 55 ns | - | 55 ns | 55 ns | - | 55 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | - | R-PDSO-G32 | R-PBGA-B36 | - | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e3 | - | e3 | e1 | - | e3 |
长度 | 11.8 mm | - | 11.8 mm | 8 mm | - | 20.445 mm |
内存密度 | 4194304 bit | - | 4194304 bit | 4194304 bit | - | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | - | 8 | 8 | - | 8 |
湿度敏感等级 | 3 | - | 3 | 3 | - | 3 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 32 | - | 32 | 36 | - | 32 |
字数 | 524288 words | - | 524288 words | 524288 words | - | 524288 words |
字数代码 | 512000 | - | 512000 | 512000 | - | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C |
组织 | 512KX8 | - | 512KX8 | 512KX8 | - | 512KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1 | - | TSOP1 | TFBGA | - | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | 260 | 260 | - | 260 |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.25 mm | - | 1.25 mm | 1.2 mm | - | 3 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V | - | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V | - | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.8 V | - | 2.8 V | 2.8 V | - | 2.8 V |
表面贴装 | YES | - | YES | YES | - | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | - | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | - | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | BALL | - | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm | - | 0.5 mm | 0.75 mm | - | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | BOTTOM | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | 40 | 40 | - | 40 |
宽度 | 8 mm | - | 8 mm | 6 mm | - | 11.305 mm |
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