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IS62WV5128BLL-55HLI

产品描述SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小464KB,共17页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS62WV5128BLL-55HLI概述

SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM

IS62WV5128BLL-55HLI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e3
长度11.8 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.56,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.25 mm
最大待机电流0.000015 A
最小待机电流1.2 V
最大压摆率0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度8 mm
Base Number Matches1

IS62WV5128BLL-55HLI相似产品对比

IS62WV5128BLL-55HLI IS62WV5128BLL-55BLI-TR IS62WV5128BLL-55HLI-TR IS62WV5128BLL-55BLI IS62WV5128BLL-55TLI-TR IS62WV5128BLL-55QLI
描述 SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4Mb 512Kx8 55ns Async SRAM SRAM 4M (512Kx8) 55ns Async SRAM
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 - 符合
零件包装代码 TSOP1 - TSOP1 BGA - SOIC
包装说明 TSOP1, TSSOP32,.56,20 - TSOP1, TFBGA, BGA36,6X8,30 - SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant - compliant
ECCN代码 3A991 - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991
Factory Lead Time 8 weeks - 8 weeks 8 weeks - 8 weeks
最长访问时间 55 ns - 55 ns 55 ns - 55 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 R-PBGA-B36 - R-PDSO-G32
JESD-609代码 e3 - e3 e1 - e3
长度 11.8 mm - 11.8 mm 8 mm - 20.445 mm
内存密度 4194304 bit - 4194304 bit 4194304 bit - 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 8 - 8 8 - 8
湿度敏感等级 3 - 3 3 - 3
功能数量 1 - 1 1 - 1
端子数量 32 - 32 36 - 32
字数 524288 words - 524288 words 524288 words - 524288 words
字数代码 512000 - 512000 512000 - 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 512KX8 - 512KX8 512KX8 - 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 - TSOP1 TFBGA - SOP
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 - 260
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.25 mm - 1.25 mm 1.2 mm - 3 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V - 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.8 V - 2.8 V 2.8 V - 2.8 V
表面贴装 YES - YES YES - YES
技术 CMOS - CMOS CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed - Matte Tin (Sn) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING - GULL WING BALL - GULL WING
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm 0.75 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL BOTTOM - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40 40 - 40
宽度 8 mm - 8 mm 6 mm - 11.305 mm

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