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APTGT300H60G

产品描述IGBT Modules Power Module - IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小428KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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APTGT300H60G概述

IGBT Modules Power Module - IGBT

APTGT300H60G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
针数12
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)430 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X12
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量12
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)320 ns
标称接通时间 (ton)170 ns

 
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