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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N5795
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JANTXV2N5795

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP Dual Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N5795概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Dual Transistors

JANTXV2N5795规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-78
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W8
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-78
JESD-30 代码O-MBCY-W8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/496B
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）140 ns
最大开启时间（吨）50 ns
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/496
Devices
2N5795
2N5796
2N5796U
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
0
Value
60
60
5.0
600
Units
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
TO-78*
One
(1)
Section
0.5
Total Power Dissipation
@ T
A
= +25 C
P
T
T
J
,
T
stg
Both
(2)
Sections
0.6
W
0
Operating & Storage Junction Temperature Range
1) Derate linearly 2.86 mW/
0
C for T
A
≥
+25
0
C
2) Derate linearly 3.43 mW/
0
C for T
A
≥
+25
0
C
-65 to +175
C
6 PIN SURFACE
MOUNT*
*See
MILPRF19500/496 for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(BR)CEO
I
CBO
Min.
60
Max.
Unit
Vdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 50 Vdc
V
CBO
= 60 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 3.0 Vdc
V
EB
= 5.0 Vdc
10
10
100
10
ηAdc
µAdc
ηAdc
µAdc
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
42203
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JANTXV2N5795相似产品对比

JANTXV2N5795 2N5796 JAN2N5795A 2N5795 2N5796U Jantx2N5795
描述 Bipolar Transistors - BJT PNP Dual Transistors Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT Bipolar Transistors - BJT PNP Dual Transistors Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W8 CYLINDRICAL, O-MBCY-W8 , CYLINDRICAL, O-MBCY-W8 CHIP CARRIER, R-CDCC-N6 CYLINDRICAL, O-MBCY-W8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
最小直流电流增益 (hFE) 40 100 40 40 50 40
最高工作温度 175 °C 200 °C 175 °C 200 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO NO YES NO
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V - 60 V 60 V 60 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS
JEDEC-95代码 TO-78 TO-78 - TO-78 TO-78 TO-78
JESD-30 代码 O-MBCY-W8 O-MBCY-W8 - O-MBCY-W8 R-CDCC-N6 O-MBCY-W8
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0
元件数量 2 2 - 2 2 2
端子数量 8 8 - 8 6 8
封装主体材料 METAL METAL - METAL CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL
封装形状 ROUND ROUND - ROUND RECTANGULAR ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL CHIP CARRIER CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Qualified
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE - WIRE NO LEAD WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 140 ns 140 ns - 140 ns 140 ns 140 ns
最大开启时间（吨） 50 ns 50 ns - 50 ns 50 ns 50 ns

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