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CD214A-R11000

产品描述Rectifiers RECTIFIER 1000VOLT GLASS PASSIVATED
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小778KB,共5页
制造商Bourns
官网地址http://www.bourns.com
标准
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CD214A-R11000在线购买

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CD214A-R11000概述

Rectifiers RECTIFIER 1000VOLT GLASS PASSIVATED

CD214A-R11000规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Bourns
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CO
M
PL
Features
RoHS compliant*
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
*R
oH
S
IA
NT
CD214A-R150~R12000 Glass Passivated Rectifiers
General Information
The markets of portable communications, computing and video equipment are challenging the semiconductor industry to develop
increasingly smaller electronic components. Bourns offers Glass Passivated Rectifiers for rectification applications, in compact chip
DO-214AC (SMA) size format, which offer PCB real estate savings and are considerably smaller than most competitive parts. The Glass
Passivated Rectifier Diodes offer a forward current of 1 A with a choice of repetitive peak reverse voltage of 50 V up to 2000 V.
Bourns
®
Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle on standard pick and place equipment and their flat configuration
minimizes roll away.
Electrical Characteristics (@ TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
R150
R1100
CD214A-
R1200
R1400
R1600
Unit
Maximum Repetitive
Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC
Blocking Voltage
Max. Average Forward
Rectified Current
1
DC Reverse Current @
Rated DC Blocking Voltage
(@TJ = 25 °C)
DC Reverse Current @
Rated DC Blocking Voltage
(@TJ = 125 °C)
DC Reverse Current @
Rated DC Blocking Voltage
(@TJ = 150 °C)
Typical Junction Capacitance
2
Maximum Instantaneous
Forward Voltage @ 1 A
Typical Thermal Resistance
3
Peak forward surge current
8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
(JEDEC Method)
VRRM
VRMS
VDC
I(AV)
IR
50
35
50
100
70
100
200
140
200
1.0
5.0
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
µA
IR
30
µA
IR
CJ
VF
R
θJA
R
θJL
IFSM
50
12
1.0
75
27
30
µA
pF
V
°C/W
°C/W
A
Notes:
1 See Forward Derating Curve.
2 Measured @ 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
3 Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B. mounted on 0.2 ˝ x 0.2 ˝ (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas.
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan. 27, 2003 including annex and RoHS Recast 2011/65/EU June 8, 2011.
Specifications are subject to change without notice.
The device characteristics and parameters in this data sheet can and do vary in different applications and actual device performance may vary over time.
Users should verify actual device performance in their specific applications.
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