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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MUR20060CTR
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MUR20060CTR

产品描述Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小373KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MUR20060CTR概述

Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R

MUR20060CTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.11 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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MUR20040CT thru MUR20060CTR
Silicon Super Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 400 to 600 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Twin Tower Package
V
RRM
= 400 V - 600 V
I
F(AV)
= 200 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MUR20040CT (R)
400
280
400
-55 to 150
-55 to 150
MUR20060CT (R)
600
420
600
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per pkg)
Peak forward surge current (per
leg)
Maximum instantaneous forward
voltage (per leg)
Maximum reverse current at rated
DC blocking voltage (per leg)
Maximum reverse recovery time
(per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
Conditions
T
C
= 140 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 100 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
MUR20040CT (R)
200
2000
1.3
25
3
90
MUR20060CT (R)
200
2000
1.7
25
3
110
Unit
A
A
V
μA
mA
nS
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
R
ΘJC
0.45
0.45
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/
1

MUR20060CTR相似产品对比

MUR20060CTR MUR20040CT
描述 Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R Rectifiers 400V 200A Super Fast Recovery
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ANODE CATHODE
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1.3 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 100 A 100 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 600 V 400 V
最大反向电流 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.11 µs 0.09 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER

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