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P1AFS1500-2FGG256I

产品描述FPGA - Field Programmable Gate Array Fusion
产品类别可编程逻辑器件    可编程逻辑   
文件大小18MB,共331页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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P1AFS1500-2FGG256I在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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P1AFS1500-2FGG256I概述

FPGA - Field Programmable Gate Array Fusion

P1AFS1500-2FGG256I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codecompliant
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e1
长度17 mm
湿度敏感等级3
可配置逻辑块数量38400
等效关口数量1500000
端子数量256
组织38400 CLBS, 1500000 GATES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)250
可编程逻辑类型FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.68 mm
最大供电电压1.575 V
最小供电电压1.425 V
标称供电电压1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度17 mm
访问中断寄存器问题
环境:ARM7+S3C44B0X(SUMSUNG)寄存器rPDATC地址为0x01d20014我试图用汇编改变寄存器rPDATC的值LDR r1,=0x01d20014LDR r0,=0x0055STR r0,[r1]结果只改变了rPDATC的低8位,STR是字存储的,按道理应该是rPDATC低16位都被改变,是不是寄存器被保护了?如果是又该怎么做?...
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