Flash Memory 128K x 8 (1M bit)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 42.05 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 1,2,1,1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.59 mm |
| 部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.09 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm |
| AT49F001-55PI | AT49F001N-55JI | |
|---|---|---|
| 描述 | Flash Memory 128K x 8 (1M bit) | NOR Flash 128K x 8 (1M bit) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | DIP | QFJ |
| 包装说明 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | PLASTIC, LCC-32 |
| 针数 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns | 55 ns |
| 启动块 | BOTTOM | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES | YES |
| 数据轮询 | YES | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 42.05 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 部门数/规模 | 1,2,1,1 | 1,2,1,1 |
| 端子数量 | 32 | 32 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.59 mm | 3.55 mm |
| 部门规模 | 16K,8K,32K,64K | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流 | 0.0003 A | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.09 mA | 0.09 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 |
| 切换位 | YES | YES |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm |
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