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BU407HTU

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小165KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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BU407HTU概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

BU407HTU规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)60 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz

BU407HTU相似产品对比

BU407HTU BU407TU
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A
集电极-发射极最大电压 150 V 150 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 60 W 60 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz

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