Gate Drivers Low Cost High Side MOSFET Predriver, Inverting
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | DIP, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 12 weeks |
高边驱动器 | YES |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 9.525 mm |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 | 30 V |
最小供电电压 | 2.75 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | NO |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
断开时间 | 30 µs |
接通时间 | 8000 µs |
宽度 | 7.62 mm |
MIC5015YN | MIC5015YM-TR | |
---|---|---|
描述 | Gate Drivers Low Cost High Side MOSFET Predriver, Inverting | Gate Drivers |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | DIP, | SOP, |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 12 weeks | 7 weeks |
高边驱动器 | YES | YES |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 | e4 |
长度 | 9.525 mm | 4.9 mm |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | 260 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 | 30 V | 30 V |
最小供电电压 | 2.75 V | 2.75 V |
标称供电电压 | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | 40 |
断开时间 | 30 µs | 30 µs |
接通时间 | 8000 µs | 8000 µs |
宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm |
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