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MIC5015YN

产品描述Gate Drivers Low Cost High Side MOSFET Predriver, Inverting
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小512KB,共12页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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MIC5015YN概述

Gate Drivers Low Cost High Side MOSFET Predriver, Inverting

MIC5015YN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明DIP,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
高边驱动器YES
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.525 mm
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大供电电压30 V
最小供电电压2.75 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
断开时间30 µs
接通时间8000 µs
宽度7.62 mm

MIC5015YN相似产品对比

MIC5015YN MIC5015YM-TR
描述 Gate Drivers Low Cost High Side MOSFET Predriver, Inverting Gate Drivers
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
包装说明 DIP, SOP,
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 12 weeks 7 weeks
高边驱动器 YES YES
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e4
长度 9.525 mm 4.9 mm
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 30 V 30 V
最小供电电压 2.75 V 2.75 V
标称供电电压 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE 40
断开时间 30 µs 30 µs
接通时间 8000 µs 8000 µs
宽度 7.62 mm 3.9 mm

 
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