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IRFR9024NPBF

产品描述MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFR9024NPBF概述

MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC

IRFR9024NPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LEAD FREE, DPAK-3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time20 weeks
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID520930
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameD-PAK(TO-252AA)
Samacsys Released Date2017-06-17 09:15:14
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)62 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.175 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 95015A
IRFR9024NPbF
IRFU9024NPbF
Lead-Free
www.irf.com
1
12/14/04

IRFR9024NPBF相似产品对比

IRFR9024NPBF 102A0.229T IRFR9024NTRRPBF CSC12A05121BFDA
描述 MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC Fixed Resistor, Wire Wound MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC Array/Network Resistor, Dual Terminator, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 180ohm, 100V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel,
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2 12
是否Rohs认证 符合 - 符合 不符合
JESD-609代码 e3 - e3 e0
最高工作温度 150 °C - 150 °C 125 °C
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SIP
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier - Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Tin/Lead (Sn/Pb)
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