Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBRT20045

MBRT20045: 产品描述Schottky Diodes & Rectifiers 45V 200A Schottky Recovery; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小476KB，共4页; 制造商GeneSiC; 官网地址http://www.genesicsemi.com/; 标准

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MBRT20045概述

Schottky Diodes & Rectifiers 45V 200A Schottky Recovery

MBRT20045规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GeneSiC
包装说明	R-PUFM-X3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	POWER
外壳连接	ISOLATED
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.75 V
JESD-30 代码	R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流	1500 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	100 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	45 V
最大反向电流	1000 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER

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MBRT20045 thru MBRT200100R

Silicon Power

Schottky Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 45 V to 100 V V

RRM

• Isolation Type Package

• Electrically Isolated Base Plate

• Not ESD Sensitive

Three Tower Package

RRM

= 45 V - 100 V

F(AV)

= 200 A

Maximum ratings, at T

= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

Symbol

RRM

RMS

stg

Conditions

MBRT20045(R) MBRT20060(R) MBRT20080(R) MBRT200100(R) Unit

-55 to 150

100

-55 to 150

°C

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Average forward current (per

pkg)

Peak forward surge current

(per leg)

Maximum instantaneous

forward voltage (per leg)

Maximum instantaneous

reverse current at rated DC

blocking voltage (per leg)

Symbol

F(AV)

FSM

Conditions

= 125 °C

= 8.3 ms, half sine

= 100 A, T

= 25 °C

= 100 °C

= 150 °C

MBRT20045(R) MBRT20060(R) MBRT20080(R) MBRT200100(R) Unit

200

1500

0.70

0.45

200

1500

0.75

0.45

200

1500

0.84

0.45

200

1500

0.84

0.45

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction-

case (per leg)

ΘJC

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/

MBRT20045相似产品对比

	MBRT20045	MBRT20080
描述	Schottky Diodes & Rectifiers 45V 200A Schottky Recovery	80V 200A Silicon Schottky Rectifier in Three Tower Package
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	R-PUFM-X3	R-PUFM-X3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
应用	POWER	POWER
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.75 V	0.88 V
JESD-30 代码	R-PUFM-X3	R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流	1500 A	1500 A
元件数量	2	2
相数	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	175 °C	175 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	100 A	100 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	45 V	80 V
最大反向电流	1000 µA	1000 µA
表面贴装	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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