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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD539
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BD539

产品描述Bipolar Transistors - BJT 45W NPN Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB，共4页
制造商Bourns
官网地址http://www.bourns.com
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BD539概述

Bipolar Transistors - BJT 45W NPN Silicon

BD539规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bourns
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)12
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)45 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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BD539, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
●
●
●
●
Designed for Complementary Use with the
BD540 Series
45 W at 25°C Case Temperature
5 A Continuous Collector Current
Up to 120 V V
CEO
rating
B
C
E
TO-220 PACKAGE
(TOP VIEW)
1
2
3
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.
MDTRACA
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)
RATING
BD539
BD539A
Collector-base voltage
BD539B
BD539C
BD539D
BD539
BD539A
Collector-emitter voltage (see Note 1)
BD539B
BD539C
BD539D
Emitter-base voltage
Continuous collector current
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)
Operating free air temperature range
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds
NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.36 W/°C.
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.
V
EBO
I
C
P
tot
P
tot
T
A
T
j
T
stg
T
L
V
CEO
V
CBO
SYMBOL
VALUE
40
60
80
100
120
40
60
80
100
120
5
5
45
2
-65 to +150
-65 to +150
-65 to +150
260
V
A
W
W
°C
°C
°C
°C
V
V
UNIT
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.
NOITAMROFNI
TCUDORP
1

BD539相似产品对比

BD539 BD539A-S BD539C-S BD539-S BD539A
描述 Bipolar Transistors - BJT 45W NPN Silicon Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN Bipolar Transistors - BJT 45W NPN Silicon
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Bourns Bourns Bourns Bourns Bourns
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 PLASTIC, TO-220, FM-3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 40 V 60 V 100 V 40 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 12 12 12 12 12
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 45 W 45 W 45 W 45 W 45 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 - e1 e1 e1 -
端子面层 - TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER -

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