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SI6969BDQ-T1

产品描述MOSFET 12V 4.6A 0.83W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小104KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI6969BDQ-T1概述

MOSFET 12V 4.6A 0.83W

SI6969BDQ-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.14 W
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Si6969BDQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 12
R
DS(on)
(Ω)
0.030 at V
GS
= - 4.5 V
0.040 at V
GS
= - 2.5 V
0.055 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 4.6
- 3.8
- 3.0
FEATURES
Halogen-free Option Available
TrenchFET
®
Power MOSFETs
Pb-free
Available
RoHS*
COMPLIANT
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
Top View
D
1
Ordering Information:
Si6969BDQ-T1
Si6969BDQ-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6969BDQ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 1.0
1.14
0.73
- 55 to 150
- 4.6
- 3.8
- 30
- 0.7
0.83
0.53
W
°C
10 s
±8
- 4.0
- 3.2
A
Steady State
- 12
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
88
120
65
Maximum
110
150
80
°C/W
Unit
Document Number: 72017
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
www.vishay.com
1

SI6969BDQ-T1相似产品对比

SI6969BDQ-T1 SI6969BDQ-T1-GE3
描述 MOSFET 12V 4.6A 0.83W MOSFET 12V 4.6A 1.14W 30mohm @ 4.5V
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4 A 4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度 150 °C 150 °C
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.14 W 1.14 W
表面贴装 YES YES
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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