MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Fairchild Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| 零件包装代码 | DPAK |
| 包装说明 | DPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 3LD, TO-252, NOT COMPLIANT TO JEDEC TO-252 VAR. AB, SURFACE MOUNT (DPAK) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| 雪崩能效等级（Eas） | 180 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 51 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 30.4 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| FQD10N20LTM | FQD10N20LTF | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level |
| Brand Name | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
| 零件包装代码 | DPAK | DPAK |
| 包装说明 | DPAK-3 | DPAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | 3LD, TO-252, NOT COMPLIANT TO JEDEC TO-252 VAR. AB, SURFACE MOUNT (DPAK) | TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 180 mJ | 180 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7.6 A | 7.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.6 A | 7.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω | 0.38 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 51 W | 51 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 30.4 A | 30.4 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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