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DG2599DN-T1-GE4

产品描述Analog Switch ICs Low Volt Dual DPDT
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小186KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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DG2599DN-T1-GE4在线购买

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DG2599DN-T1-GE4概述

Analog Switch ICs Low Volt Dual DPDT

DG2599DN-T1-GE4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
零件包装代码QFN
包装说明VQCCN, LCC16,.07X.1,16
针数16
Reach Compliance Codeunknown
模拟集成电路 - 其他类型DPDT
JESD-30 代码R-XQCC-N16
JESD-609代码e4
长度2.6 mm
信道数量2
功能数量2
端子数量16
标称断态隔离度66 dB
最大通态电阻 (Ron)3.3 Ω
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出SEPARATE OUTPUT
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VQCCN
封装等效代码LCC16,.07X.1,16
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
最大供电电压 (Vsup)5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
最长断开时间85 ns
最长接通时间115 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距0.4 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度1.8 mm
Base Number Matches1

 
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