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SUD19N20-90-T4-E3

产品描述MOSFET N-CH 200V 19A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小152KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SUD19N20-90-T4-E3概述

MOSFET N-CH 200V 19A

SUD19N20-90-T4-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)18 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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SUD19N20-90
Vishay Siliconix
N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
200
R
DS(on)
()
0.090 at V
GS
= 10 V
0.105 at V
GS
= 6 V
I
D
(A)
19
17.5
FEATURES
TrenchFET
®
Power MOSFET
175 °C Junction Temperature
PWM Optimized
100 % R
g
Tested
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Primary Side Switch
TO-252
D
Drain Connected to Tab
G
D
S
G
Top View
Ordering Information:
SUD19N20-90-E3 (Lead (Pb)-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175 °C)
b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
Limit
200
± 20
19
11
40
19
19
18
136
b
3
a
- 55 to 175
mJ
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
a
Junction-to-Case (Drain)
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See SOA curve for voltage derating.
t
10 s
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
15
40
0.85
Maximum
18
50
1.1
°C/W
Unit
Document Number: 71767
S10-2245-Rev. E, 04-Oct-10
www.vishay.com
1

SUD19N20-90-T4-E3相似产品对比

SUD19N20-90-T4-E3 SUD19N20-90
描述 MOSFET N-CH 200V 19A Transistor
零件包装代码 TO-252 TO-252
针数 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99

 
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