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IXFX32N80P

产品描述MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小153KB,共4页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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IXFX32N80P概述

MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds

IXFX32N80P规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage800 V
Id - Continuous Drain Current32 A
Rds On - Drain-Source Resistance270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
高度
Height
21.34 mm
长度
Length
16.13 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
5.21 mm
Fall Time24 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
830 W
Rise Time24 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
Typical Turn-Off Delay Time85 ns
Typical Turn-On Delay Time30 ns
单位重量
Unit Weight
0.056438 oz

IXFX32N80P相似产品对比

IXFX32N80P
描述 MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
Product Attribute Attribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHS Details
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247-3
Number of Channels 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Id - Continuous Drain Current 32 A
Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
系列
Packaging
Tube
高度
Height
21.34 mm
长度
Length
16.13 mm
Transistor Type 1 N-Channel
宽度
Width
5.21 mm
Fall Time 24 ns
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
830 W
Rise Time 24 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
Typical Turn-Off Delay Time 85 ns
Typical Turn-On Delay Time 30 ns
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