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HCF40107BM1

产品描述Logic Gates 2-Input NAND Buffer
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小614KB,共11页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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HCF40107BM1概述

Logic Gates 2-Input NAND Buffer

HCF40107BM1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
系列4000/14000/40000
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
湿度敏感等级1
功能数量2
输入次数2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup200 ns
传播延迟(tpd)200 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)20 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3.9 mm

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HCF40107B
DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER
s
s
s
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s
s
32 TIMES STANDARD B-SERIES OUTPUT
CURRENT DRIVE SINKING CAPABILITY -
136 mA TYP. AT V
DD
= 10V, V
DS
= 1V
QUIESCENT CURRENT SPECIF. UP TO 20V
5V, 10V AND 15V PARAMETRIC RATINGS
INPUT LEAKAGE CURRENT
I
I
= 100nA (MAX) AT V
DD
= 18V T
A
= 25°C
100% TESTED FOR QUIESCENT CURRENT
MEETS ALL REQUIREMENTS OF JEDEC
JESD13B "STANDARD SPECIFICATIONS
FOR DESCRIPTION OF B SERIES CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
ORDER CODES
PACKAGE
DIP
SOP
TUBE
HCF40107BEY
HCF40107BM1
T&R
HCF40107M013TR
DESCRIPTION
HCF40107B is a monolithic integrated circuit
fabricated in Metal Oxide Semiconductor
technology available in DIP and SOP packages.
HCF40107B is a dual 2-input NAND buffer/driver
containing two independent 2-input NAND buffers
with open-drain single n-channel transistor
outputs. This device features a wired-OR
capability and high output sink current capability
(136 mA typ. at V
DD
= 10V, V
DS
= 1V).
PIN CONNECTION
October 2002
1/11

HCF40107BM1相似产品对比

HCF40107BM1 HCF40107M013TR
描述 Logic Gates 2-Input NAND Buffer Logic Gates 2-Input NAND Buffer
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
系列 4000/14000/40000 4000/14000/40000
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4
长度 4.9 mm 4.9 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
湿度敏感等级 1 1
功能数量 2 2
输入次数 2 2
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 5/15 V 5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 200 ns 200 ns
传播延迟(tpd) 200 ns 200 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm
最大供电电压 (Vsup) 20 V 20 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
宽度 3.9 mm 3.9 mm
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