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IPD90N04S3-04

产品描述MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小182KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPD90N04S3-04在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IPD90N04S3-04概述

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-04规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)260 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)90 A
最大漏极电流 (ID)90 A
最大漏源导通电阻0.0036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)136 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)360 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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