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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBRH20080
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MBRH20080

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 200A 80P56RV
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小355KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRH20080概述

Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 200A 80P56RV

MBRH20080规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GeneSiC
包装说明R-PUFM-X1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.84 V
JESD-30 代码R-PUFM-X1
最大非重复峰值正向电流3000 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流200 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向电流5000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MBRH20045 thru MBRH200100R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 45 V to 100 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
D-67 Package
V
RRM
= 45 V - 100 V
I
F(AV)
= 200 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MBRH20045(R) MBRH20060(R) MBRH20080(R) MBRH200100(R)
45
32
45
-55 to 150
-55 to 150
60
42
60
-55 to 150
-55 to 150
80
57
80
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current
(per pkg)
Peak forward surge current
Maximum instantaneous
forward voltage
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage
Symbol
I
F
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
≤
136 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
I
FM
= 200 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 150 °C
MBRH20045(R) MBRH20060(R) MBRH20080(R) MBRH200100(R)
200
3000
0.70
1
10
50
0.35
200
3000
0.75
1
10
50
0.35
200
3000
0.84
1
10
50
0.35
200
3000
0.84
1
10
50
0.35
Unit
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction
- case
R
thJC
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
1

MBRH20080相似产品对比

MBRH20080 MBRH20045 MBRH20060
描述 Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 200A 80P56RV Schottky Diodes & Rectifiers 45V 200A Schottky Recovery Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 200A 60P42RV
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 R-PUFM-X1 R-PUFM-X1 R-PUFM-X1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 POWER POWER POWER
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.84 V 0.65 V 0.75 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X1 R-PUFM-X1 R-PUFM-X1
最大非重复峰值正向电流 3000 A 3000 A 3000 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 200 A 200 A 200 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 80 V 45 V 60 V
最大反向电流 5000 µA 5000 µA 5000 µA
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER
厂商名称 GeneSiC - GeneSiC

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