EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 250NS COM TEMP
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 其他特性 | 100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| AT28BV64B-25JC | AT28BV64B-25SC | AT28BV64B-20SI | AT28BV64B-20TI | AT28BV64B-20SC | AT28BV64B-20PC | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 250NS COM TEMP | EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 250NS COM TEMP | EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 200NS IND TEMP | EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 200NS IND TEMP | EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 200NS COM TEMP | EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 200NS COM TEMP |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFJ | SOIC | SOIC | TSOP1 | SOIC | DIP |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | SOP, SOP28,.4 | SOP, SOP28,.4 | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | SOP, SOP28,.4 | DIP, DIP28,.6 |
| 针数 | 32 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | compliant | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 250 ns | 250 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
| 其他特性 | 100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | 100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | 100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | 100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | 100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | 100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm | 17.9 mm | 17.9 mm | 11.8 mm | 17.9 mm | 37.0205 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 2 | 2 | 2 | 3 | 2 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | SOP | SOP | TSOP1 | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | SOP28,.4 | SOP28,.4 | TSSOP28,.53,22 | SOP28,.4 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 页面大小 | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 240 | NOT SPECIFIED | 240 | 240 | 225 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 编程电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm | 2.65 mm | 2.65 mm | 1.2 mm | 2.65 mm | 4.826 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A | 0.00002 A | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.00002 A | 0.00002 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA | 0.015 mA | 0.015 mA | 0.015 mA | 0.015 mA | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.55 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | NOT SPECIFIED | 30 | 30 | 30 |
| 切换位 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 宽度 | 11.43 mm | 7.5 mm | 7.5 mm | 8 mm | 7.5 mm | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | - | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
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