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SI4860DY-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 16A 1.6W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4860DY-T1-E3在线购买

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SI4860DY-T1-E3概述

MOSFET 30V 16A 1.6W

SI4860DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)1.1 A
最大漏源导通电阻0.008 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SI4860DY-T1-E3相似产品对比

SI4860DY-T1-E3 SI4860DY-T1
描述 MOSFET 30V 16A 1.6W MOSFET 30V 16A 1.6W
是否无铅 不含铅 含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11 A 11 A
最大漏极电流 (ID) 1.1 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.008 Ω 0.008 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.5 W 3.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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