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SI4542DY-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4542DY-T1-E3在线购买

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SI4542DY-T1-E3概述

MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W

SI4542DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.1 A
最大漏极电流 (ID)6.9 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON

SI4542DY-T1-E3相似产品对比

SI4542DY-T1-E3 SI4542DY-T1
描述 MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W
是否无铅 不含铅 含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.1 A 6.1 A
最大漏极电流 (ID) 6.9 A 6.9 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 240
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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