MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.1 A |
最大漏极电流 (ID) | 6.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管元件材料 | SILICON |
SI4542DY-T1-E3 | SI4542DY-T1 | |
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描述 | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
零件包装代码 | SOT | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.1 A | 6.1 A |
最大漏极电流 (ID) | 6.9 A | 6.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω | 0.025 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 | e0 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A | 40 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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