MOSFET 20V 3.2A N-Channel
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 包装说明 | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 318-08 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| NTR4501NT3 | NTR4501NT1 | NTR4501NT3G | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 20V 3.2A N-Channel | MOSFET 20V 3.2A N-Channel | MOSFET 20V 3.2A N-Channel |
| 零件包装代码 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 包装说明 | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 318-08 | CASE 318-08 | 318-08 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.2 A | 3.2 A | 3.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.2 A | 3.2 A | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω | 0.08 Ω | 0.08 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB | TO-236AB | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.25 W | 1.25 W | 1.25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A | 10 A | 10 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn80Pb20) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
