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2DA1213O-13: 产品描述Bipolar Transistors - BJT 1W -50V; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小265KB，共6页; 制造商Diodes; 官网地址http://www.diodes.com/

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2DA1213O-13概述

Bipolar Transistors - BJT 1W -50V

2DA1213O-13规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Diodes
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-89-3
Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO	- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	- 0.5 V
Maximum DC Collector Current	- 2 A
Gain Bandwidth Product fT	160 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Current Gain hFE Max	140 at 0.5 A at 2 V
高度 Height	1.5 mm
长度 Length	4.5 mm
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Reel
宽度 Width	2.5 mm
Continuous Collector Current	- 2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	70
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1000 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500
单位重量 Unit Weight	0.004603 oz

2DA1213O-13相似产品对比

	2DA1213O-13
描述	Bipolar Transistors - BJT 1W -50V
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Diodes
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-89-3
Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO	- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	- 0.5 V
Maximum DC Collector Current	- 2 A
Gain Bandwidth Product fT	160 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Current Gain hFE Max	140 at 0.5 A at 2 V
高度 Height	1.5 mm
长度 Length	4.5 mm
宽度 Width	2.5 mm
Continuous Collector Current	- 2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	70
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1000 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500
单位重量 Unit Weight	0.004603 oz
系列 Packaging	Reel

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