SSM6N55NULF,SSM6N55NULF pdf中文资料,SSM6N55NULF引脚图,SSM6N55NULF电路-Datasheet-电子工程世界

SSM6N55NULF: 产品描述MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小236KB，共10页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

SSM6N55NULF在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SSM6N55NULF	-	-	点击查看	点击购买

MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Toshiba(东芝)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	UDFN-6
Number of Channels	2 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	64 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.3 V to 2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Qg - Gate Charge	2.5 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Reel
高度 Height	0.75 mm
长度 Length	2 mm
Transistor Type	2 N-Channel
宽度 Width	2 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000

	SSM6N55NULF	SSM6N55NU,LF
描述	MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD	MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET
RoHS	Details	Details
技术 Technology	Si	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	UDFN-6	UDFN-6
Number of Channels	2 Channel	2 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	30 V
Id - Continuous Drain Current	4 A	4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	64 mOhms	64 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.3 V to 2.5 V	1.3 V to 2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	20 V
Qg - Gate Charge	2.5 nC	2.5 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
Configuration	Single	Single
高度 Height	0.75 mm	0.75 mm
长度 Length	2 mm	2 mm
Transistor Type	2 N-Channel	2 N-Channel
宽度 Width	2 mm	2 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W	1 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000	3000
系列 Packaging	Reel	Reel

单片机与对讲机无线能通电!!: 一天晚上，我无意在用对讲机时，发现身旁的摇棒的灯亮呢，更奇怪的是我那摇棒没接上电源，我以为是错觉，但试了几次，竟然每次都是亮的。这证明无线电能传输电能，也就是说，将来有可能不需要电线就能传输电能。真是不可思义啊！http://v.youku.com/v_show/id_XMTQ4MDE0ODIw.html今天听朋友说，Intel已经实践了这种技术，下面有简介：8月22日消息，英特尔公司首席技术官贾...; jaky0077 嵌入式系统

STM8S208内部EEProm数据丢失: 我们用STM8S208内部EEProm时数据丢失，什么原因？有什么解决方法？...; linglidu stm32/stm8

u-boot 汇编疑问: 我看u-boot中u-boot-1.1.6\u-boot-1.1.6\cpu\arm920t\start.S有这样几句：ldrpc, _undefined_instruction_undefined_instruction:.word undefined_instruction我看了些帖子是这样说的：把_undefined_instruction里面的内容载入PC而_undefined_instr...; jasenmax 嵌入式系统

【CN0209】适合过程控制应用的完全可编程通用模拟前端: 电路功能与优势如今，许多模拟输入模块使用线链路（跳线）来配置客户输入要求，配置和重新配置输入需要时间、知识和手动干预。本电路提供一个用来配置工作模式的软件可控开关以及用来激励RTD的恒流源。本电路也可以重新配置，以便设置热电偶配置的共模电压。一个差分放大器用来调理Σ-Δ ADC的模拟输入范围。本电路以最低的成本提供业界领先的性能。...; EEWORLD社区 ADI参考电路

关于Wince中SDK的编译问题: 各位大哥大姐好，小弟初学Wince，有很多不明，昨日编译SDK就出了问题，请看如下显示：Committing database changesCreating 'required' featureAdding required filesCommitting database changesRolling sysgen'ed headers and libsSamsung smdk2440: AR...; davidli88 WindowsCE

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多