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BFR193FH6327XTSA1

产品描述RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小529KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BFR193FH6327XTSA1在线购买

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BFR193FH6327XTSA1概述

RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

BFR193FH6327XTSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.08 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz
Base Number Matches1

BFR193FH6327XTSA1相似产品对比

BFR193FH6327XTSA1 BFR-193F-E6327 BFR 193F H6327
描述 RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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