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IRLML6402GTRPBF

产品描述MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRLML6402GTRPBF在线购买

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IRLML6402GTRPBF概述

MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl

IRLML6402GTRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LEAD FREE, MICRO-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)11 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.7 A
最大漏极电流 (ID)3.7 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)22 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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