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BTD965LA3

产品描述Low VCE(sat) NPN Planar Transistor
文件大小144KB,共5页
制造商CYSTEKEC
官网地址http://www.cystekec.com/
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BTD965LA3概述

Low VCE(sat) NPN Planar Transistor

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CYStech Electronics Corp.
Low V
CE(sat)
NPN Planar Transistor
Spec. No. : C852A3
Issued Date : 2004.07.02
Revised Date :
Page No. : 1/5
BTD965LA3
Features
High current capability
Low collector-to-emitter saturation voltage
High allowable power dissipation
Applications
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes
Symbol
BTD965LA3
Outline
TO-92
B : Base
C : Collector
E : Emitter
ECB
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Collector Power Dissipation
(Note)
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
Tj
Tstg
Limits
15
10
7
5
9
750
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
Note : when a device is mounted on a glass epoxy board, measuring 35mm×30mm×1mm.
BTD965LA3
CYStek Product Specification

 
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