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BTD1805I3

产品描述Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
文件大小160KB,共4页
制造商CYSTEKEC
官网地址http://www.cystekec.com/
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BTD1805I3概述

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

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CYStech Electronics Corp.
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C820I3
Issued Date : 2004.12.19
Revised Date :2005.07.26
Page No. : 1/ 4
BTD1805I3
Description
The device is manufactured in NPN planar technology by using a “Base Island” layout. The resulting
transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Features
Very low collector-to-emitter saturation voltage
Fast switching speed
High current gain characteristic
Large current capability
Applications
CCFL drivers
Voltage regulators
Relay drivers
High efficiency low voltage switching applications
Symbol
BTD1805I3
Outline
TO-251
B:Base
C:Collector
E:Emitter
B C E
B C
BTD1805I3
CYStek Product Specification
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