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BTA1759M3

产品描述High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor
文件大小150KB,共4页
制造商CYSTEKEC
官网地址http://www.cystekec.com/
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BTA1759M3概述

High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

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CYStech Electronics Corp.
High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C309M3
Issued Date : 2003.06.30
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTA1759M3
Description
High breakdown voltage. (BV
CEO
=-400V)
Low saturation voltage, typically V
CE(sat)
= -0.07V at Ic/I
B
=-10mA/-1mA.
Wide SOA (safe operation area).
Complementary to BTC4505M3.
Symbol
BTA1759M3
Outline
SOT-89
B:Base
C:Collector
E:Emitter
B C E
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Limits
-400
-400
-6
-300
0.6
1
(Note 1)
2
(Note 2)
208
125
(Note 1)
62.5
(Note 2)
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
W
W
W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
R
θJA
Tj
Tstg
Note : 1.When mounted on FR-4 PCB with area measuring 10×10×1 mm
2.When mounted on ceramic with area measuring 40×40×1 mm
BTA1759M3
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