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RB225T100

产品描述30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小300KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB225T100概述

30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

RB225T100规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.86 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10

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Schottky barrier diode
RB225T100
Applications
Switching power supply
Dimensions
(Unit : mm)
4.5±0.3
    0.1
10.0±0.3
    0.1
2.8±0.2
    0.1
Structure
1.2
1.3
5.0±0.2
Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low I
R
3) High reliability
(1) (2) (3)
8.0±0.2
12.0±0.2
15.0±0.4
  0.2
8.0
13.5MIN
(1) (2) (3)
0.7±0.1
0.05
Construction
Silicon epitaxial planar
0.8
2.6±0.5
ROHM :
TO220FN
Manufacture Date
Limits
Symbol
110
V
RM
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
110
V
R
30
Average rectified forward current(*1)
Io
100
I
FSM
Forward current surge peak (60Hz/1cyc) (*1)
Junction temperature
150
Tj
Storage temperature
-40 to +150
Tstg
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Ta=99C
Absolute
maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Unit
V
V
A
A
C
C
Electrical
characteristic
(Ta=25C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Thermal impedance
Symbol
V
F
I
R
jc
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.86
400
1.75
Unit
V
μA
C/W
Conditions
I
F
=15A
V
R
=100V
junction to case
www.rohm.com
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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