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RB411VA-50

产品描述0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小130KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB411VA-50概述

0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RB411VA-50规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB411VA-50
Diodes
Schottky barrier diode
RB411VA-50
Applications
General rectification
External dimensions
(Unit : mm)
0.17±0.1
  
0.05
1.3±0.05
Land size figure
(Unit : mm)
1.1
1.9±0.1
2.5±0.2
TUMD2
Construction
Silicon epitaxial planar
0.8±0.05
Structure
ROHM : TUMD2
    0.1
dot (year week factory) + day
0.6±0.2
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
1.75±0.1
φ1.55±0.1
      0
0.25±0.05
3.5±0.05
8.0±0.2
1.43±0.05
4.0±0.1
φ1.0±0.2
     0
2.75
2.8±0.05
0.9±0.08
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
F
1
Forawrd voltage
V
F
2
I
R
Reverse current
Capacitance between terminals
Ct
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
50
20
0.5
3
125
-40 to +125
Unit
V
V
A
A
Min.
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
20
Max.
0.50
0.30
30
-
Unit
V
V
µA
pF
I
F
=500mA
I
F
=10mA
V
R
=10V
V
R
=10V , f=1MHz
0.8 0.5
Features
1) Small mold type. (TUMD2)
2) High reliability.
2.0
Conditions
1/3

 
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