N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | TO-251 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 0.5 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 12 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 3 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| AP01L60J | AP01L60H | |
|---|---|---|
| 描述 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 零件包装代码 | TO-251 | TO-252 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 0.5 mJ | 0.5 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1 A | 1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 12 Ω | 12 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 3 A | 3 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
