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MA26V12

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA26V12概述

Silicon epitaxial planar type

MA26V12规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-XBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压8 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管电容容差4%
最小二极管电容比1.75
标称二极管电容3.75 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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Variable Capacitance Diodes
MA26V12
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For VCO
Features
Good linearity and large capacitance-ratio in C
D
V
R
relation
Small series resistance r
D
High frequency type by this low capacitance
1.00
±0.05
0.60
±0.05
3
2
1
0.39
+0.01
−0.03
0.15
±0.05
0.05
±0.03
0.35
±0.01
0.25
±0.05
0.50
±0.05
0.25
±0.05
1
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
T
j
T
stg
Rating
8
125
−55
to
+125
Unit
V
°C
°C
3
0.65
±0.01
2
0.05
±0.03
1: Anode
2: N.C.
3: Cathode
ML3-N2 Package
Marking Symbol: 2R
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
±
3°C
Parameter
Reverse current
Diode capacitance
Symbol
I
R
C
D1V
C
D4V
Capacitance ratio
Series resistance
*
C
D1V
/C
D4V
r
D
V
R
=
4 V, f
=
470 MHz
V
R
=
5 V
V
R
=
1 V, f
=
1 MHz
V
R
=
4 V, f
=
1 MHz
3.60
1.97
1.75
Conditions
Min
Typ
Max
10
3.90
2.14
1.90
0.35
Unit
nA
pF
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Absolute frequency of input and output is 470 MHz
3. *: Measuring instrument: YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER
Publication date: November 2003
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