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CM4957

产品描述PNP HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CM4957概述

PNP HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR

CM4957规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-72
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量2 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-72
JESD-30 代码O-MBCY-W4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1200 MHz
Base Number Matches1

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DATA SHEET
CM4957
PNP HIGH FREQUENCY
SILICON TRANSISTOR
TO-72 CASE
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CM4957 is a Silicon PNP RF Transistor, mounted in a hermetically sealed
package, designed for high frequency amplifier and non-saturated switching applications. This device is a
replacement for the 2N4957.
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Power Dissipation
Power Dissipation (TC=25°C)
Operating and Storage
Junction Temperature
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ,Tstg
30
25
3.0
30
200
300
-65 to +200
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
hFE
fT
Ccb
hfe
Gpe
TEST CONDITIONS
VCB=10V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=100µA
VCE=10V, IC=2.0mA
VCE=10V, IC=2.0mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=2.0mA, f=1.0kHz
VCE=10V, IC=4.0mA, f=450MHz
MIN
30
25
3.0
20
1200
1.6
20
17
TYP
MAX
100
UNITS
nA
V
V
V
MHz
pF
dB
150
2500
2.0
200
25
(Continued)
R2
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575652 575653 575654 575655 575656 575657 ...
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