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AH451-70

产品描述Gunn Diode, 8GHz Min, 9GHz Max, Gallium Arsenide, Continuous Wave
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小144KB,共4页
制造商Thales Group
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AH451-70概述

Gunn Diode, 8GHz Min, 9GHz Max, Gallium Arsenide, Continuous Wave

AH451-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称Thales Group
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用CONTINUOUS WAVE
最小连续输出功率0.3 W
配置SINGLE
二极管元件材料GALLIUM ARSENIDE
二极管类型GUNN DIODE
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最大工作频率9 GHz
最小工作频率8 GHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
标称工作电压10 V
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术GUNN
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1
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