AH226-CHIP1概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 2.8pF C(T), 15V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt

AH226-CHIP1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Thales Group
包装说明	O-XEMW-F2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	15 V
配置	SINGLE
二极管电容容差	20%
标称二极管电容	2.8 pF
二极管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND
JESD-30 代码	O-XEMW-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	MICROWAVE
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	2000
最大反向电流	0.1 µA
反向测试电压	10 V
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	END
变容二极管分类	HYPERABRUPT
Base Number Matches	1

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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