Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 1000V V(RRM), Silicon,
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | E-LELF-R2 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
应用 | EFFICIENCY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.95 V |
JESD-30 代码 | E-LELF-R2 |
最大非重复峰值正向电流 | 60 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最大输出电流 | 1.8 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM |
参考标准 | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
最大反向电流 | 4 µA |
最大反向恢复时间 | 0.06 µs |
表面贴装 | YES |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
Base Number Matches | 1 |
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