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IBM11N8735HB-60: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168; 产品类别存储存储; 文件大小323KB，共30页; 制造商IBM; 官网地址http://www.ibm.com

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IBM11N8735HB-60概述

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

	IBM11N8735HB-60	IBM11N8645HB-60
描述	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, PDMA168
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code	unknow	unknow
最长访问时间	60 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168
内存密度	603979776 bi	536870912 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	64
端子数量	168	168
字数	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	8MX72	8MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm
最大待机电流	0.0081 A	0.0072 A
最大压摆率	1.17 mA	1.04 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ