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5962-9669201HYC

产品描述Flash, 512KX8, 150ns, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
产品类别存储    存储   
文件大小153KB,共24页
制造商White Microelectronics
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5962-9669201HYC概述

Flash, 512KX8, 150ns, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

5962-9669201HYC规格参数

参数名称属性值
包装说明CERAMIC, SOJ-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-CDSO-J32
JESD-609代码e4
长度21.09 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.06 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.925 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
D
E
F
DESCRIPTION
Changed figure 1; Removed note 3 for case outlines X and Y. Added
vendor cage 88379 for device types 01 through 04. -sld
Added device type 05. Updated drawing to the latest requirements of
MIL-PRF-38534. -sld
Figure 1; case outline X, changed the dimension "D" min from 1.654
inches to 1.6 inches. Added cage 0EU86 for device types 01 through
04. Editorial changes troughout. -sld
Added device type 06. Added case outline Z. Editorial changes
throughout. -sld
DATE (YR-MO-DA)
99-03-29
03-03-17
04-10-21
APPROVED
K. A. Cottongim
Raymond Monnin
Raymond Monnin
G
05-02-18
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
G
15
G
16
G
17
G
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Steve L. Duncan
CHECKED BY
Michael C. Jones
G
19
G
20
G
1
G
2
G
3
G
4
G
5
G
6
G
7
G
8
G
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G
10
G
11
G
12
G
13
G
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
APPROVED BY
Kendall A. Cottongim
DRAWING APPROVAL DATE
96-04-22
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, FLASH
EPROM, 512K x 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
REVISION LEVEL
G
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
20
5962-96692
DSCC FORM 2233
APR 97
5962-E147-05
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