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5962-9669110HYC

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, DIP-32
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文件大小176KB,共30页
制造商White Microelectronics
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5962-9669110HYC概述

Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, DIP-32

5962-9669110HYC规格参数

参数名称属性值
包装说明DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间17 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T32
JESD-609代码e4
长度41.91 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
DESCRIPTION
Added device type11. Change limits for I
CC
and I
CCDR1
in table I.
Add: note to paragraph 1.2.2 and table I, conditions. Add device types
12 through 17. Add vendor CAGE code 0EU86. Add condition D to
paragraphs 4.2.a.1 and 4.3.3.b.1. Changes to table I and dimensions
to case outlines T, U, X, Y, and Z. Table I, add note 3 to C
IN
and C
OUT
.
Add case outline N.
Updated drawing to latest requirements. -sld
DATE (YR-MO-DA)
98-06-22
01-03-01
APPROVED
K. A. Cottongim
Raymond Monnin
C
D
01-03-21
06-03-07
Raymond Monnin
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
D
15
D
16
D
17
D
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Gary Zahn
CHECKED BY
Michael C. Jones
D
19
D
20
D
21
D
1
D
22
D
2
D
23
D
3
D
24
D
25
D
4
D
5
D
6
D
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D
8
D
9
D
10
D
11
D
12
D
13
D
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil/
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
APPROVED BY
Kendall A. Cottongim
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS,
SRAM, 128K x 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
DRAWING APPROVAL DATE
96-10-30
REVISION LEVEL
D
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
25
5962-96691
5962-E298-06
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
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