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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> JANSMVSMCGLCE51TR

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JANSMVSMCGLCE51TR: 产品描述1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小726KB，共7页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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JANSMVSMCGLCE51TR概述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB

1500 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-214AB

JANSMVSMCGLCE51TR规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
最大击穿电压	62.7 V
最小击穿电压	56.7 V
加工封装描述	塑料 PACKAGE-2
状态	DISCONTINUED
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	C BEND
端子涂层	锡铅
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
工艺	AVALANCHE
结构	单一的
二极管元件材料	硅
最大功耗极限	5 W
极性	单向
二极管类型	TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
关闭电压	51 V
最大非重复峰值转速功率	1500 W

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