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APTGT100DA60T

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小279KB,共5页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APTGT100DA60T概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12

APTGT100DA60T规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X12
元件数量1
端子数量12
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)370 ns
标称接通时间 (ton)180 ns
Base Number Matches1
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