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1N1611B

产品描述Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, 3100ohm Z(V) Max, Silicon, DO-22, DO-22, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小200KB,共2页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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1N1611B概述

Mixer Diode, Zero Barrier, X Band, 3100ohm Z(V) Max, Silicon, DO-22, DO-22, 1 PIN

1N1611B规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DO-22
包装说明O-LALF-W1
针数1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND
最大阻抗3100 Ω
最小阻抗1700 Ω
JEDEC-95代码DO-22
JESD-30 代码O-LALF-W1
元件数量1
端子数量1
最大工作频率10 GHz
最小工作频率4 GHz
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
最小正切信号灵敏度53 dBm
技术POINT CONTACT
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
肖特基势垒类型ZERO BARRIER
Base Number Matches1

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