Flash Memory 100 BGA, -25 TO 85C, 1.8V/3.3V VCC, V4.51, SPANSION EMMC NAND FLASH MEMORY
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 包装说明 | LBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 备用内存宽度 | 4 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B100 |
| 长度 | 18 mm |
| 内存密度 | 137438953472 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 17179869184 words |
| 字数代码 | 16000000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 16GX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 3 V |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 类型 | MLC NAND TYPE |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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