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A5KP26CA-G

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W 26V BIDIRECTION AEC-Q101
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共5页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
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A5KP26CA-G概述

ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W 26V BIDIRECTION AEC-Q101

A5KP26CA-G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Comchip Technology
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压31.9 V
最小击穿电压28.9 V
击穿电压标称值30.4 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压42.1 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压26 V
最大反向电流2 µA
反向测试电压26 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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5000W Transient Voltage Suppressor
A5KP-G Series
Stand-off Voltage: 6.8V ~ 440V
Power Dissipation: 5000 Watts
RoHS Device
Features
- Glass passivated chip.
- Low leakage.
1.0(25.4)
0.052(1.32)
0.048(1.22)
MIN.
DIA.
R-6
- Uni and Bidirection unit.
- Excellent clamping capability.
- The plastic material has UL recognition 94V-0.
- Very fast response time.
0.360(9.14)
- Comply with AEC-Q101
0.340(8.64)
Mechanical Data
- Case: Molded plastic R-6
1.0(25.4)
0.360(9.14)
0.340(8.64)
DIA.
- Lead: Solderable per MIL-STD-202, method
208 guaranteed.
- Polarity: Color band denotes cathode end
except Bipolar.
MIN.
Dimensions in inches and (millimeter)
- Mounting position: Any
- Weight: 2.1 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.
For capacitive load, derated current by 20%.
Parameter
Peak power dissipation with a 10/1000μs
waveform (Note 1)
Peak pulse current with a 10/1000μs waveform
(Note 1)
Power dissipation on infinite heatsink at T
L
=75°C
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave unidirectional only (Note 2)
Maximum instantaneous forward voltage at
100A for uni-directional devices only (Note 3)
Operating junction and storage temperature
range
NTOES:
Symbol
P
PP
Value
5000
Unit
W
I
PP
See Next Table
8.0
W
P
D
W
I
FSM
500
A
V
F
3.5 / 5.0
V
T
J
, T
STG
-55 to +150
°C
(1) Non-repetitive current pulse, per fig.5 and derated above T
A
=25 C per fig. 1.
(2) Measured on 8.3 ms single half sine wave of equivalent square wave,duty cycle=4 pulses per minute maximum.
(3) V
F
<3.5V for devices of V
BR
<200V and V
F
<
5.0V for devices of V
BR
>
201V
O
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.
AQW-BTV06
REV:A
Page 1
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